添加剂对LiTFSI/EM I-TFSI的影响

2021-05-25 19:10:00
何妍
原创
522
摘要:加入 VC 降低了 EMI-TFSI 的还原电位, 即成膜效果较好。

将成膜添加剂 LiBOB、VC 加到 1 mol/ L  LiTFSI/ EMITFSI 中, 并与不含添加剂的 1 mol/ L  LiTFSI/ EMI-TFSI 体系进行比较, 结果见图 7 。 

从图 7a 可知, 在 1 mol/ L  LiTFSI/EMI-TFSI 和 1 mol/ L  LiTFSI/ EMI-TFSI+5 %LiBOB 中, 首次放电平台都比较长,但没有充电平台, 原因是与 Li+共嵌, 电解液发生了还原分解。 在 1 mol/ L  LiTFSI/ EMI-TFSI+5 %VC 中, 首次充放电性能较好, 充放电平台电位几乎一致, 均约为 0.1 V, 但首次库仑效率仅有 71.0 %。 从图 7b 可知, 石墨在1 mol/ L LiTFSI/ EMI-TFSI+5%VC 的循环性能较好, 比容量能稳定在约300 mAh/ g, 说明加入 VC 降低了 EMI-TFSI 的还原电位, 即成膜效果较好。

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