LiTFSI 还原截止电势

根据前面的 LSV 测试结果，LiNO 3 、LiTFSI、DME 的还原电势各不相同，为了探究不同还原截止电势对所形成的 ASEI 的性能影响，我们研究了在-131 mol L LiTFSI/DME+2 wt.% LiNO 中以-20.015 mA cm 的电流密度恒电流从OCP 分别阴极极化至1.5、1.0、0.5、0.30 V 在 Cu 电极表面所形成的 ASEI 在 Li|Cu半电池中的电化学性能（25 °C，循环参数为-2 -21.0 mA cm 1.0 mAh cm  ），实验结果如图 3-8 所示。从图 3-8 可以看出，还原截止电势越负，所形成的 ASEI 膜的电化学性能越好。这可以结合 LSV 的测试结果来分析，还原截止电势为 1.50 V 形成的 ASEI主要由 LiNO 3 的还原产物组成，还原截止电势为 1.00 V 形成的 ASEI 同时含有LiNO 3 和 LiTFSI 的还原产物，而还原截止电势为 0.50 V 和 0.30 V 形成的 ASEI由 LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 的还原产物组成。LiNO 3 、 LiTFSI 和 DME 主要的分解产物如表3-1所示，这些物质在ASEI中都有特定的作用，因此，同时含有LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 的还原产物时 ASEI 性能更好。与 0.50 V 相比，还原截止电势为0.30 V 形成的 ASEI 膜的性能更好些，可能是因为当还原截止电势设置为 0.30 V时，LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 的还原反应更彻底。因此，后文中制备 ASEI 所用的还原截止电势均为 0.30 V。