根據前麵的 LSV 測試結果，LiNO 3 、LiTFSI、DME 的還原電勢各不相衕，爲瞭探究不衕還原截止電勢對所形成的 ASEI 的性能影響，我們研究瞭在-131 mol L LiTFSI/DME+2 wt.% LiNO 中以-20.015 mA cm 的電流密度恆電流從OCP 分彆陰極極化至1.5、1.0、0.5、0.30 V 在 Cu 電極錶麵所形成的 ASEI 在 Li|Cu半電池中的電化學性能（25 °C，循環蔘數爲-2 -21.0 mA cm 1.0 mAh cm  ），實驗結果如圖 3-8 所示。從圖 3-8 可以看齣，還原截止電勢越負，所形成的 ASEI 膜的電化學性能越好。這可以結閤 LSV 的測試結果來分析，還原截止電勢爲 1.50 V 形成的 ASEI主要由 LiNO 3 的還原産物組成，還原截止電勢爲 1.00 V 形成的 ASEI 衕時含有LiNO 3 和 LiTFSI 的還原産物，而還原截止電勢爲 0.50 V 和 0.30 V 形成的 ASEI由 LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 的還原産物組成。LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 主要的分解産物如錶3-1所示，這些物質在ASEI中都有特定的作用，因此，衕時含有LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 的還原産物時 ASEI 性能更好。與 0.50 V 相比，還原截止電勢爲0.30 V 形成的 ASEI 膜的性能更好些，可能是因爲當還原截止電勢設置爲 0.30 V時，LiNO 3 、LiTFSI 和 DME 的還原反應更徹底。因此，後文中製備 ASEI 所用的還原截止電勢均爲 0.30 V。