添加劑對LiTFSI/EM I-TFSI的影響

2021-05-25 19:10:00
何妍
原創
1559
摘要:加入 VC 降低瞭 EMI-TFSI 的還原電位, 卽成膜效果較好。

將成膜添加劑 LiBOB、VC 加到 1 mol/ L  LiTFSI/ EMITFSI 中, 併與不含添加劑的 1 mol/ L  LiTFSI/ EMI-TFSI 體繫進行比較, 結果見圖 7 。 

從圖 7a 可知, 在 1 mol/ L  LiTFSI/EMI-TFSI 和 1 mol/ L  LiTFSI/ EMI-TFSI+5 %LiBOB 中, 首次放電平颱都比較長,但沒有充電平颱, 原因是與 Li+共嵌, 電解液髮生瞭還原分解。 在 1 mol/ L  LiTFSI/ EMI-TFSI+5 %VC 中, 首次充放電性能較好, 充放電平颱電位幾乎一緻, 均約爲 0.1 V, 但首次庫崙效率僅有 71.0 %。 從圖 7b 可知, 石墨在1 mol/ L LiTFSI/ EMI-TFSI+5%VC 的循環性能較好, 比容量能穩定在約300 mAh/ g, 説明加入 VC 降低瞭 EMI-TFSI 的還原電位, 卽成膜效果較好。

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